半导体装备 Semiconductor

HSE M200

深硅刻蚀机

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HSE M200 深硅刻蚀机
HSE M200 Deep Silicon Etcher
HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。可以配置手动及自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源,中心边缘进气,快速气体切换,低频脉冲下电极系统,可以实现高速、高深宽比、高均匀性及极小的侧壁粗糙度。
设备特点
  • 双等离子源和双区进气,保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率
  • 兼容性强,工艺种类多样,应用领域广泛,系统可靠性强
  • 灵活的系统配置,适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用
  • 低拥有成本和运营成本
产品应用
  • 晶圆尺寸
    8英寸及以下
  • 适用材料
    硅、SOI、SOG
  • 适用工艺
    深硅刻蚀
  • 适用领域
    微机电系统、科研领域
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